高温试验 低温试验 温度循环、温度冲击 湿热试验 高压蒸煮试验 盐雾试验 低气压试验 热真空试验 淋雨试验 砂尘试验 IP防护等级
RS101 RS103 RS105 CS101 CS103 CS104 CS105 CS106 CS109 CS114 CS112 CS115 CS116
功率老炼（电阻电容筛选） 功率老炼（集成电路筛选） 功率老炼（分立器件筛选） 功率老炼（功率模块/DCDC筛选） 功率老炼（微波器件/微波电路） 高低电平高温运行（继电器筛选） 高低电平低温运行（继电器筛选）
GJB2015HSEE001
单粒子效应（single event effect, SEE）是指宇宙空间或大气中单个高能粒子入射到半导体器件或集成电路中时诱发的一种现象。高能粒子入射到半导体器件或集成电路芯片中时产生高密度的电子空穴对，这些电子空穴对能够被器件敏感的反偏PN结所收集，从而使电路逻辑状态发生翻转、或者诱发寄生结构导通造成器件本身永久性损伤的一种电离辐射效应。
|
|
名称 | 英文简写 | 失效后果 |
| 1 | 单粒子翻转 | SEU | 非破坏性 |
| 2 | 单粒子闩锁 | SEL | 破坏性 |
| 3 | 单粒子多位翻转 | MCU | 非破坏性 |
| 4 | 单粒子功能终止 | SEFI | 非破坏性 |
| 5 | 单粒子瞬态 | SET | 非破坏性 |
| 6 | 单粒子扰动 | SED | 非破坏性 |
| 7 | 单粒子烧毁 | SEB | 破坏性 |
| 8 | 单粒子栅穿 | SEGR | 破坏性 |
| 9 | 单粒子介质击穿 | SEDR |
破坏性 |
{ask_time}
商城客服
{reply_time|今天}
共有(1)人参考评价
仅对购买过该商品的用户开放！
{comment_time|今天}
{content}
{comment_time|今天}
{content}
{comment_time|今天}
{content}
{comment_time|今天}
{content}